可控硅的特性：常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路，等等；
可控硅的主要參數(shù)有：
1、 額定通態(tài)平均電流在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值；
2、 正向阻斷峰值電壓：在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯?，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
3、 反向阻斷峰值電壓：當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值；
4、 觸發(fā)電壓在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓；
5、 維持電流：在規(guī)定溫度下，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。

可控硅(Silicon Controlled Rectifier) 簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種
電磁爐、變頻器、逆變器、UPS電源、EPS電源、開關(guān)電源、電機(jī)控制、變焊機(jī)、固態(tài)繼電器、有源濾波器、風(fēng)力發(fā)電設(shè)備、工業(yè)傳動(dòng)裝置、電梯或傳動(dòng)設(shè)備、機(jī)車與列車用電源、電能表、照明電器等各種產(chǎn)品上。

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑晤愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。可控硅元件的結(jié)構(gòu)不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。
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晶閘管的注意事項(xiàng)：
1、在檢查大功率器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)1.5V電池E′，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流，使可靠地導(dǎo)通；
2、要準(zhǔn)確測(cè)量的關(guān)斷增益，有測(cè)試設(shè)備。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同，測(cè)量結(jié)果僅供參考，或作為相對(duì)比較的依據(jù)；
逆導(dǎo)晶閘管亦稱反向?qū)ňчl管。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽與陰之間反向并聯(lián)一只二管，使陽與陰的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu)，使之具有耐高壓、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間僅幾微秒，工作頻率達(dá)幾十千赫，快速晶閘管。該器件適用于開關(guān)電源、UPS不間斷電源中，一只即可代替晶閘管和續(xù)流二管各一只，不僅使用方便，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)；
逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性，正向特性與普通晶閘管相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（僅坐標(biāo)位置不同）。