晶圓切割時(shí)，經(jīng)常遇到較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)，應(yīng)選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20um)是非常脆弱的，更容易過(guò)早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76um跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30um。

刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。清洗部位配備水汽二流體清洗裝置，能對(duì)加工物進(jìn)行清洗。半自動(dòng)劃片機(jī)LX3356機(jī)臺(tái)可作業(yè)8時(shí)wafer，含自動(dòng)光學(xué)補(bǔ)償、聚焦及自特征點(diǎn)功能，配有高低倍兩種鏡頭，可用于切割道寬度測(cè)量、基準(zhǔn)線補(bǔ)償調(diào)整等?？勺詣?dòng)檢測(cè)切割刀痕，自動(dòng)校準(zhǔn)基準(zhǔn)線位置，防止崩邊過(guò)大及切片造成良率的損失。能進(jìn)行測(cè)高并同步切割作業(yè)時(shí)對(duì)切割刀刃進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)。

切片工序的關(guān)鍵部分是切割刀片的修整(dressing)。在非監(jiān)測(cè)的切片系統(tǒng)中，修整工序是通過(guò)一套反復(fù)試驗(yàn)來(lái)建立的。在刀片負(fù)載受監(jiān)測(cè)的系統(tǒng)中，修整的終點(diǎn)是通過(guò)測(cè)量的力量數(shù)據(jù)來(lái)發(fā)現(xiàn)的，它建立佳的修整程序。這個(gè)方法有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn):不需要來(lái)佳的刀片性能，和沒(méi)有合格率損失，該損失是由于用部分修整的刀片切片所造成的質(zhì)量差。

切片工藝變得越來(lái)越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測(cè)試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達(dá)到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認(rèn)真的刀片選擇和的工藝控制能力。
內(nèi)圓切割時(shí)晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當(dāng)晶圓直徑達(dá)到300mm時(shí)。內(nèi)圓刀頭外徑將達(dá)到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢(shì)線切別主導(dǎo)的晶圓切割技術(shù)。
在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過(guò)幫助去掉碎片而延長(zhǎng)刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。