ALD(原子層沉積)是一種將氮化膜或氧化膜以單原子膜的形式一層一層的鍍在基底表面的方法。

通過這種方法可以對10nm厚度薄膜進行安定的生產(chǎn)。

作為其材料,使用與氧化劑有著高反應(yīng),例如金屬醇這種通過自身的熱分解,不易產(chǎn)生氧化膜的物質(zhì)是適合的。

氮化膜適用于柵極絕緣膜及阻擋膜的成膜,一般使用金屬酰胺,酰亞胺,金屬氯化物。

金屬酰胺的化學(xué)式為M-NR1R2,金屬酰亞胺為M=NR,金屬氯化物則是化學(xué)式為MCIx的化合物。

一般常用的有TEMAZ,TDMAH,TBTEMT,ZrCl4,WCl6,AlCl3