目前，世界上絕大部分廠家采用傳統(tǒng)的改良西門子法生產(chǎn)硅料，作為成熟的技術路線，其降本增效潛力已近極限。作為硅料的保利協(xié)鑫十余年如一日，不斷尋求技術突破以實現(xiàn)提質(zhì)增效，其的、具有自主知識產(chǎn)權的硅烷流化床法顆粒硅（FBR法顆粒硅）技術已趨成熟，在產(chǎn)品純度、能耗、產(chǎn)能等各項指標上，均大幅改良西門子法。

光伏組件回收成為新熱點
太陽能光伏發(fā)電，是世界能源綠色轉型的生力軍，其供應鏈包括了從硅材料提純、鑄錠拉棒、切片、電池和輔材、組件、平衡部件以及系統(tǒng)集成、應用和退役回收。

全球光伏回收產(chǎn)業(yè)市場潛力，國際能源署預計到2050年全球將有近8000萬噸，約43億塊報廢光伏組件需要處理，由于玻璃、鋁、硅等材料、以及銀、銦等稀有元素可以回收回用，回收也將產(chǎn)生約150億美元的市場價值；中國光伏行業(yè)協(xié)會預測到2030年中國也將面臨回收150萬噸報廢組件，2050年將達到2000萬噸，隨著近年來的大規(guī)模既有項目的技改，中國光伏回收高峰將提前到來。

回收廠處理壽終正寢的“晶體硅”光伏板。典型的晶體硅太陽能電池板由65-75%的玻璃、10-15%的鋁制框架、10%的塑料和3-5%的硅制成。為了提率和安全性，回收廠使用自動機器人來完成太陽能電池板的拆解與分揀工作。

國際可再生能源署(IRENA)的一項研究證實：到2050年，世界范圍內(nèi)報廢的光伏電池板數(shù)量將達到數(shù)千萬噸(特別是在中國、美國、日本、印度和德國)——回收后價值將超過150億美元。
僅在中國，2020年廢棄的光伏組件就將達到2000萬噸，是埃菲爾鐵塔重量的2000倍。

在研究和生產(chǎn)中，硅材料與硅器件相互促進。在第二次世界大戰(zhàn)中，開始用硅制作雷達的高頻晶體檢波器。所用的硅純度很低又非單晶體。1950年制出只硅晶體管，提高了人們制備硅單晶的興趣。1952年用直拉法(CZ)培育硅單晶成功。1953年又研究出無坩堝區(qū)域熔化法(FZ)，既可進行物理提純又能拉制單晶。1955年開始采用鋅還原四氯化硅法生產(chǎn)純硅，但不能滿足制造晶體管的要求。

硅是元素半導體。電活性雜質(zhì)磷和硼在合格半導體和多晶硅中應分別低于0.4ppb和0.1ppb。拉制單晶時要摻入一定量的電活性雜質(zhì)，以獲得所要求的導電類型和電阻率。重金屬銅、金、鐵等和非金屬碳都是極有害的雜質(zhì)，它們的存在會使PN結性能變壞。硅中碳含量較高，低于1ppm者可認為是低碳單晶。碳含量超過3ppm時其有害作用已較顯著。硅中氧含量甚高。氧的存在有益也有害。直拉硅單晶氧含量在5～40ppm范圍內(nèi)；區(qū)熔硅單晶氧含量可低于1ppm。
生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對位錯密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯排、星形結構等缺陷存在。位錯密度低于 200/厘米2者稱為無位錯單晶，無位錯硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無位錯硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團、自間隙原子團、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱為旋渦缺陷。熱加工過程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。
硅是地殼上豐富的元素半導體, 性質(zhì)而工藝技術比較成熟,已成為固態(tài)電子器件的主要原料。為適應超大規(guī)模集成電路的需要,高完整性高均勻度(尤其是氧的分布) 的硅單晶制備技術正在發(fā)展。雖然在超速集成電路方面砷化鎵材料表現(xiàn)出的性，但尚不可能全面取代硅的地位。硅材料在各種晶體三極管、尤其是功率器件制造方面仍是主要的材料。無定形硅可能成為同單晶硅并列的重要硅材料。無定形硅和多晶硅太陽電池的成功將使硅材料的消耗量急劇增加。