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北京的破壞物理性分析-服務(wù)MIL-STD測(cè)試要求

更新時(shí)間:2025-09-19 [舉報(bào)]

GRGTEST破壞性物理分析(DPA)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)
●GJB128A-97半導(dǎo)體分?器件試驗(yàn)方法
●GJB360A-96電子及電?元件試驗(yàn)方法
●GJB548B-2005微電子器件試驗(yàn)方法和程序
●GJB7243-2011電子元器件篩選技術(shù)要求
●GJB40247A-2006電子元器件破壞性物理分析方法
●QJ10003—2008進(jìn)口元器件篩選指南
●MIL-STD-750D半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法
●MIL-STD-883G微電子器件試驗(yàn)方法和程序

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假冒翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng),如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。廣電計(jì)量DPA分析測(cè)試能解決這一系列問(wèn)題,其中檢測(cè)項(xiàng)目包括:
●非破壞性項(xiàng)目:外部目檢、X?射線檢查、PIND、密封、引出端強(qiáng)度、聲學(xué)顯微鏡檢查;
●破壞性項(xiàng)目:激光開封、化學(xué)開封、內(nèi)部?體成分分析、內(nèi)部目檢、SEM檢查、鍵合強(qiáng)度、剪切強(qiáng)度、粘接強(qiáng)度、IC取芯片、 芯片去層、襯底檢查、PN結(jié)染?、DB FIB、熱點(diǎn)檢測(cè)、漏電位置檢測(cè)、彈坑檢測(cè)、ESD測(cè)試

對(duì)于DPA中暴露的問(wèn)題,只要元器件承制廠所與DPA實(shí)驗(yàn)室緊密結(jié)合,進(jìn)行分析與跟蹤,準(zhǔn)確找出導(dǎo)致缺陷產(chǎn)生的原因,采取有針對(duì)性的整改措施,則大多數(shù)缺陷模式是可以得到控制或消除的。
破壞性物理分析(DPA)技術(shù)不但適用于J用電子元器件,而且也同樣適用于民用電子元器件,如采購(gòu)檢驗(yàn)、進(jìn)貨驗(yàn)貨及生產(chǎn)過(guò)程中的質(zhì)量監(jiān)測(cè)等均可應(yīng)用DPA技術(shù)。
廣電計(jì)量破壞性物理分析(DPA)測(cè)試能夠?yàn)镴品及民品企業(yè)提供一站式服務(wù),報(bào)告可靠。

DPA分析是對(duì)潛在缺陷確認(rèn)和潛在危害性分析的過(guò)程,一般是在在元器件經(jīng)過(guò)檢驗(yàn)、篩選和質(zhì)量一致性檢驗(yàn)后對(duì)元器件內(nèi)部存在的缺陷進(jìn)行分析,這些缺陷可能會(huì)導(dǎo)致樣品的失效或不穩(wěn)定。與其他分析技術(shù)不同的是,DPA分析是對(duì)元器件進(jìn)行的事前預(yù)計(jì)(而失效分析FA是事后檢查)。在元器件生產(chǎn)過(guò)程中以及生產(chǎn)后到上機(jī)前,廣電計(jì)量DPA分析技術(shù)都可以被廣泛地使用,以檢驗(yàn)元器件是否存在潛在的材料、工藝等方面的缺陷。

廣電計(jì)量DPA測(cè)試以預(yù)防失效為目的,防止有明顯或潛在缺陷的元器件上機(jī)使用;確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷;評(píng)價(jià)和驗(yàn)證供貨方元器件的質(zhì)量;提出批次處理意見和改進(jìn)措施。
DPA分析技術(shù)可以快速發(fā)現(xiàn)潛在的材料、工藝等方面的缺陷,這些缺陷終導(dǎo)致元器件失效的時(shí)間是不確定的,多數(shù)為早期失效,但所引發(fā)的后果是嚴(yán)重的。

電子元器件制造?藝質(zhì)量?致性是電子元器件滿足其用途和相關(guān)規(guī)范的前提。?量假冒翻新元器件充斥著元器件供應(yīng)市場(chǎng),如何確定貨架元器件真?zhèn)问抢_元器件使用方的?大難題。廣電計(jì)量DPA測(cè)試確定元器件在設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中存在的偏差和工藝缺陷,提出批次處理意見和改進(jìn)措施等多方面的檢測(cè)分析需求。

標(biāo)簽:的破壞物理性分析北京破壞物理性分析
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