芯片從誕展至今經(jīng)歷了幾代的升級(jí)和改造，但一種主要材質(zhì)是沒(méi)有發(fā)生任何變化的，那就是晶圓。眾所周知，一顆芯片在成品之前須讓晶圓經(jīng)歷過(guò)上百個(gè)生產(chǎn)工序才能誕生，它如同藝術(shù)家手里的畫(huà)板一樣，承載著各種電子信息技術(shù)設(shè)計(jì)的意圖。作為芯片的核心材質(zhì)，晶圓一直以來(lái)都是現(xiàn)代電子領(lǐng)域的基礎(chǔ)

硅晶圓切片工藝是在“后端”裝配工藝中的步。在芯片的分割期間，刀片碾碎基礎(chǔ)材料(晶圓)，同時(shí)去掉所產(chǎn)生的碎片。材料的去掉沿著晶方(dice)的有源區(qū)域之間的切割線(跡道)發(fā)生的。冷卻劑(通常是去離子水)指到切割縫內(nèi)，改善切割品質(zhì)，和通過(guò)幫助去掉碎片而延長(zhǎng)刀片壽命。每條跡道(street)的寬度(切口)與刀片的厚度成比例。

在許多晶圓的切割期間經(jīng)常遇到的較窄跡道(street)寬度，要求將每一次切割放在跡道中心幾微米范圍內(nèi)的能力。這就要求使用具有高分度軸精度、高光學(xué)放大和對(duì)準(zhǔn)運(yùn)算的設(shè)備。當(dāng)用窄跡道切割晶圓時(shí)的一個(gè)常見(jiàn)的推薦是，選擇盡可能薄的刀片。可是，很薄的刀片(20μm)是非常脆弱的，更容易過(guò)早破裂和磨損。結(jié)果，其壽命期望和工藝穩(wěn)定性都比較厚的刀片差。對(duì)于50~76μm跡道的刀片推薦厚度應(yīng)該是20~30μm。