2021年中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)多晶硅、硅片、電池、組件產(chǎn)量分別達(dá)到50.6萬(wàn)噸、226.6GW、197.9GW、181.8GW，產(chǎn)量全球占比超過(guò)70%，光伏新增裝機(jī)54.88GW，連續(xù)9年全球。工信部下一步將加強(qiáng)公共服務(wù)保障，持續(xù)優(yōu)化產(chǎn)業(yè)發(fā)展環(huán)境，支持行業(yè)協(xié)會(huì)等建設(shè)，加強(qiáng)產(chǎn)融合作，支持光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

非平衡載流子壽命 　光照或電注入產(chǎn)生的附加電子和空穴瞬即復(fù)合而消失，它們平均存在的時(shí)間稱(chēng)為非平衡載流子的壽命。非平衡載流子壽命同器件放大倍數(shù)、反向電流和開(kāi)關(guān)特性等均有關(guān)系。壽命值又間接地反映硅單晶的純度，存在重金屬雜質(zhì)會(huì)使壽命值大大降低。

生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱(chēng)為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱(chēng)為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。