金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實(shí)現(xiàn)金屬解離:
設(shè)備參數(shù)
壓力:5-8 GPa(相當(dāng)于地核壓力)
沖頭速度:1-2 mm/s
模具材料:硬質(zhì)合金(HV>2000)
解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機(jī)主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續(xù)處理:
氣流分選(密度差異)
靜電分離(導(dǎo)電性差異)
優(yōu)勢:
無化學(xué)試劑添加
處理速度200 kg/h
金鹽回收中的選擇性化學(xué)鍍技術(shù)
化學(xué)鍍技術(shù)可在非導(dǎo)電基材上選擇性沉積金層,適用于電子廢料中微米級金線路的回收:
鍍液配方優(yōu)化
組分 濃度范圍 功能作用
氯金酸(HAuCl?) 1-3 g/L 金離子來源
還原劑(DMAB) 2-5 g/L 電子供體(E°=-1.18 V)
絡(luò)合劑(EDTA) 10-15 g/L 穩(wěn)定Au3?,抑制自發(fā)分解
pH調(diào)節(jié)劑 維持7.5-8.5 硼酸鈉緩沖體系
工藝特性
沉積速率:0.5-2 μm/h(40-60°C)
選擇性:通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)局部沉積(精度±5 μm)
鍍層性能:
電阻率2.3 μΩ·cm(接近體材料)
結(jié)合力>30 MPa(劃痕測試)
應(yīng)用案例:
日本日礦金屬處理廢棄FPC板,金回收率>98%
缺陷控制:鍍液壽命約8-10個金屬周轉(zhuǎn)(需定期過濾再生)
金鹽回收中的選擇性氯化技術(shù)
選擇性氯化法適用于處理含金電子廢料(如PCB),其核心是通過控制氯氣濃度和溫度實(shí)現(xiàn)金的揮發(fā):
反應(yīng)機(jī)理
氯化揮發(fā):2Au + 3Cl? → 2AuCl?(g)(沸點(diǎn)254°C)
雜質(zhì)抑制:Cu、Fe等生成固態(tài)氯化物殘留
工藝參數(shù)優(yōu)化
參數(shù) 佳范圍 作用機(jī)制
溫度 450-500°C 平衡揮發(fā)速率與能耗
Cl?濃度 30-50 vol% 避免過量腐蝕設(shè)備
載氣流速 0.8-1.2 L/min 確保氣態(tài)AuCl?充分帶出
工業(yè)案例:
日本DOWA的流化床氯化系統(tǒng):處理含金0.2%的電子廢料,回收率>99%
兩級冷凝設(shè)計(jì):200°C(收集AuCl?),二級50°C(捕集Hg/Pb氯化物)
挑戰(zhàn):
設(shè)備需采用哈氏合金C276(耐氯腐蝕)
尾氣需堿洗+活性炭吸附處理
金鹽回收中的選擇性電沉積技術(shù)
選擇性電沉積通過控制電位實(shí)現(xiàn)多金屬溶液中金的回收:
技術(shù)原理
極化曲線分析:
Au(CN)??還原電位:-0.6 V vs SHE
Cu(CN)?2?還原電位:-1.1 V vs SHE
電位窗口控制:
工作電位-0.7至-0.9 V(抑制銅共沉積)
脈沖電位(正向-0.65 V,反向-0.3 V)
電極系統(tǒng)設(shè)計(jì)
組件 規(guī)格要求 功能特點(diǎn)
陰極 三維多孔碳(比表面積800 m2/g) 增大沉積面積,降低局部電流密度
陽極 鈦基混合金屬氧化物(MMO) 氧析出過電位高(>1.2 V)
隔膜 陰離子交換膜(DF-120) 阻止Cu(CN)?2?遷移
工藝指標(biāo):
電流效率:92-95%
金純度:99.99%(Cu<5 ppm)
能耗:0.5 kWh/g Au
工業(yè)案例:
加拿大Mint電解廠采用此技術(shù)處理含Cu 20 g/L的廢液,金回收率99.3%
金鹽回收中的飛秒激光解離技術(shù)
超快激光(脈寬100 fs)選擇性剝離電子廢料中的金層:
工藝參數(shù)
參數(shù) 設(shè)定值 物理效應(yīng)
波長 515 nm 金吸收系數(shù)達(dá)10? cm?1
能量密度 0.5 J/cm2 超過金燒蝕閾值(0.3 J/cm2)
重復(fù)頻率 100 kHz 平衡效率與熱影響區(qū)
加工效果
剝離精度:±2 μm(可保留底層基材完整性)
金純度:99.9%(無銅、鎳等基材混入)
速率:處理手機(jī)主板達(dá)5 cm2/s
技術(shù)優(yōu)勢:
非接觸式加工避免機(jī)械應(yīng)力
廢氣僅需簡單過濾(無化學(xué)溶劑揮發(fā))
設(shè)備成本:飛秒激光系統(tǒng)約$0.5M/臺,適合高值廢料處理
金鹽回收中的氧化技術(shù)
處理含氰廢水的深度氧化方案:
1. 臭氧催化氧化
催化劑:MnO?/Al?O?(比表面積180 m2/g)
動力學(xué):
CN? + O? → CNO? + O?(k=3.2×103 M?1s?1)
終產(chǎn)物為CO?和N?(無二次污染)
2. 電化學(xué)氧化
陽極材料:BDD(摻硼金剛石)
操作條件:
電流密度100 A/m2
極板間距10 mm
處理效果:
CN?<0.1 mg/L(達(dá)標(biāo)排放)
能耗8 kWh/kg CN?
經(jīng)濟(jì)性對比
技術(shù) 投資成本($/t) 運(yùn)行成本($/m3)
堿性氯化法 50,000 1.2
臭氧氧化 120,000 0.8
電化學(xué)氧化 80,000 0.6
金鹽回收工廠的數(shù)字化管理
1. 智能倉儲系統(tǒng)
RFID標(biāo)簽追蹤物料批次
自動稱重精度±0.1 kg
2. 數(shù)字孿生應(yīng)用
電解槽電流密度模擬(誤差<3%)
浸出率預(yù)測模型(R2>0.95)
3. 能源優(yōu)化
余熱發(fā)電(ORC系統(tǒng))
分時電價生產(chǎn)調(diào)度
實(shí)施效果(某200t/d工廠):
金損失減少0.8%(年增收$1.2M)
能耗降低15%
安全事故率下降90%
金鹽回收生物冶金回收技術(shù)
生物技術(shù)應(yīng)用進(jìn)展:
菌種選擇
嗜金屬硫桿菌:氧化Fe2?產(chǎn)生Fe3?氧化劑
芽孢桿菌:分泌氰化物(0.1-0.3mM)
工藝參數(shù)
pH范圍:1.5-2.5(酸性)或9-10(堿性)
溫度:30-45℃
反應(yīng)時間:5-15天
技術(shù)指標(biāo)
浸出率:65-85%
能耗:僅為化學(xué)法的20%
投資成本:$1.2-1.8M/100tpd
局限性:
菌種耐受性:Au濃度>50mg/L時活性抑制
反應(yīng)速率:比化學(xué)法慢10-20倍
金鹽回收電解回收技術(shù)
電解法直接處理含金電解液,關(guān)鍵技術(shù)參數(shù):
電解槽設(shè)計(jì)
陰極:鈦網(wǎng)(表面積2-5m2/m3)
陽極:DSA涂層鈦電極(IrO?-Ta?O?)
極距:50-100mm
工藝控制
電流密度:100-300A/m2
槽電壓:2.5-4.5V
溫度:50-70℃
流速:0.3-0.8m/s
產(chǎn)品特征
陰極金純度:99.95-99.99%
電流效率:85-92%
能耗:0.8-1.2kWh/g Au
創(chuàng)新應(yīng)用:
脈沖電解:占空比1:5,晶粒尺寸減小40%
流化床電解:處理濃度低至10mg/L
金鹽回收一克多少錢?答:金鹽回收一克500元。
12年