晶圓經(jīng)過前道工席后芯片制備完成，還需要經(jīng)過切割使晶圓上的芯片分離下來，后進行封裝。不同厚度晶圓選擇的晶圓切割工藝也不同:
厚度100um以上的晶圓一般使用刀片切割;
厚度不到100um的晶圓一般使用激光切割，激光切割可以減少剝落和裂紋的問題，但是在100um以上時，生產(chǎn)效率將大大降低;
厚度不到30um的晶圓則使用等離子切割，等離子切割速度快，不會對晶圓表面造成損傷，從而提高良率，但是其工藝過程更為復雜。

以穩(wěn)定的扭矩運轉(zhuǎn)的系統(tǒng)要求進給率、心軸速度和冷卻劑流量的穩(wěn)定。冷卻劑在刀片上施加阻力，它造成扭力。新一代的切片系統(tǒng)通過控制冷卻劑流量來保持穩(wěn)定的流速和阻力，從而保持冷卻劑扭矩影響穩(wěn)定。當切片機有穩(wěn)定的冷卻劑流量和所有其它參數(shù)都受控制時，維持一個穩(wěn)定的扭矩。如果記錄，從穩(wěn)定扭矩的任何偏離都是由于不受控的因素。這些包括由于噴嘴堵塞的冷卻劑流量變化、噴嘴調(diào)整的變化、刀片對刀片的變化、刀片情況和操作員錯誤。

切片工藝變得越來越且要求高。切割跡道變得越窄，可能充滿測試用衰耗器(test pad)，并且刀片可能需要切割由不同材料制成的各種涂敷層。在這些條件下達到大的切片工藝合格率和生產(chǎn)率要求認真的刀片選擇和的工藝控制能力。

UV膜與藍膜相比，它的粘性剝離度可變性使得其性很大，主要作用為:用于wafer減薄過程中對wafer進行固定;water劃切過程中，用于保護芯片，防止其脫落或崩邊，用于wafer的翻轉(zhuǎn)和運輸，防止已經(jīng)劃好的芯片發(fā)生脫落。規(guī)范化使用UV膜和藍膜的各個參數(shù)，根據(jù)芯片所需要的加工工藝，選擇合適的UV膜或者藍膜，即可以節(jié)省成本，又可以加進芯片產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。
晶圓倒片機是用來調(diào)整集成電路產(chǎn)線上晶圓生產(chǎn)材料序列位置的一款設備，它的任務是將產(chǎn)線上的晶圓通過制程需要進行分批、合并、翻轉(zhuǎn)后進行下一道程序，這就要求晶圓倒片機擁有的傳送效率和潔凈程度。通俗來講，更方便制造芯片，并且能夠在高度環(huán)境要求下制造更好的芯片。
內(nèi)圓切割時晶片表層損害層大，給CMP產(chǎn)生挺大黔削拋光工作中；刃口寬。材料損害大。品片出率低；成木高。生產(chǎn)效率低；每一次只有切割一片。當晶圓直徑達到300mm時。內(nèi)圓刀頭外徑將達到1.18m。內(nèi)徑為410mm。在生產(chǎn)制造、安裝與調(diào)節(jié)上產(chǎn)生許多艱難。故后期主要發(fā)展趨勢線切別主導的晶圓切割技術。