AS9331的優(yōu)點總給如下：
低溫無壓：銀燒結技術是把材料加熱到低于它的熔點溫度，然后材料中的銀顆粒聚集結合，并實現顆粒之間的結合強度。傳統(tǒng)銀燒結采用對材料或設備加壓、加熱直至形成金屬接點的方法。然而，在半導體封裝領域，這種加壓技術的應用必然會碰到芯片破損或者產能不足的問題，因為客戶在資本密集型的芯片粘接設備上單個自地生產。

提率：善仁新材的這一無壓低溫技術提高了生產效率，從傳統(tǒng)銀燒結技術每小時只能生產約30個產品上升至現在的每小時3000個?，F在，憑借這一新的銀燒結材料，第三代半導體封裝得以實現高產能，高可靠性的產品。

“成為世界電子漿料頭部企業(yè)”為善仁新材的奮斗目標。
公司是集研發(fā)，生產，銷售為一體的高新技術企業(yè)。公司擁有由科學家的，十多名海內外博士后，博士，碩士組成的研發(fā)團隊，研發(fā)團隊具有碩士以上。

公司研發(fā)團隊由美籍華人科學家領導，多名海外博士、博士后組成，研發(fā)團隊為碩士及博士以上學歷，研發(fā)人員占公司人員比例超過40%，公司是一家技術驅動型的高新技術企業(yè)，目前公司正在申請院士工作站和博士后工作站。公司注重產品研發(fā)，產品品質和生產工藝技術水平的持續(xù)提升和優(yōu)化，重視對人才的引進和培養(yǎng)。

公司開發(fā)出了納米顆粒技術平臺，金屬技術平臺、樹脂合成技術平臺、同位合成技術平臺，粘結技術平臺等。在以上技術平臺上開發(fā)出了導電銀膠、導電銀漿，低溫燒結銀，納米銀墨水，納米銀漿，納米銀膠，納米銀膏，可焊接低溫銀漿，可拉伸銀漿，異方性導電膠，電磁屏蔽膠，導熱膠等產品。

為了驗證此策略，使用1200V/400A車用SiC功率模塊的低應力封裝工藝，此器件的燒結面積4.4 mm×4.0 mm，鉬片厚度為1.5 mm，氧化鋁襯底基板的厚度為1.2 mm。 兩側基板均采用AS9330低溫無壓銀燒結技術以實現器件和鉬片的互連，燒結后形成器件-基板組件和鉬片-基板組件結構連接，燒結后兩組組件的連接使用傳統(tǒng)的高溫焊料 Pb92.5Sn5Ag2.5。