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隨著電子產(chǎn)品功能及使用環(huán)境的不斷升級(jí)，密封灌封膠產(chǎn)品的種類也越來越多，在使用選購(gòu)密封灌封膠的過程中，使用前應(yīng)根據(jù)密封部位的使用條件，密封副偶件的材料，密封副結(jié)合面的狀態(tài)，被密封介質(zhì)的種類和性能及固化條件等綜合考慮進(jìn)行選擇。其中就包括受力狀態(tài)、工作溫度、環(huán)境以及密封副偶件是否需要可拆性等條件。

四、使用說明? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?產(chǎn)品工藝性能較好，可直接施工，施工方法可采用毛筆涂抹、滾涂、點(diǎn)膠機(jī)自動(dòng)擠出或絲網(wǎng)印刷。

?對(duì)所有接觸表面用溶劑清潔后再涂抹硅脂，填滿間隙的前提下越薄越好，多涂并無益處，反而會(huì)影響熱傳導(dǎo)

效率。

?用干凈的工具如剃刀片，信用卡邊或干凈的小刀挑起少許導(dǎo)熱硅脂轉(zhuǎn)移到施工部位，用刮板刮平，再用無絨布將施工部

位周邊多余的導(dǎo)熱硅脂擦干凈。

五、包裝? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?

?塑料筒裝，凈容量為300ML、500ML、1L、5L；

?金屬軟管包裝, 凈容量為50ML、100ML?300ML 2600ML 10KG。

光刻工藝約占整個(gè)芯片制造成本的35%，耗時(shí)占整個(gè)芯片工藝的40%~60%，是半導(dǎo)體制造中核心的工藝。
以半導(dǎo)體光刻膠為例，在光刻工藝中，光刻膠被均勻涂布在襯底上，經(jīng)過曝光(改變光刻膠溶解度)、顯影(利用顯影液溶解改性后光刻膠的可溶部分)與刻蝕等工藝，將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，形成與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形。
光刻技術(shù)隨著IC集成度的提升而不斷發(fā)展。為了滿足集成電路對(duì)密度和集成度水平的更高要求，半導(dǎo)體用光刻膠通過不斷縮短曝光波長(zhǎng)以提高極限分辨率，世界芯片工藝水平目前已跨入微納米級(jí)別，光刻膠的波長(zhǎng)由紫外寬譜逐步至g線（436nm）、i線（365nm）、KrF（248nm）、 ArF（193nm）、F2（157nm），以及的EUV(<13.5nm)線水平。