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第三代半導體燒結銀膏加壓燒結銀國產(chǎn)燒結銀

更新時間:2025-09-04 [舉報]
燒結銀解決寬禁帶半導體的五大難題

善仁新材作為全球低溫無壓燒結銀的,一直低溫燒結溫度,從客戶要求的220度,到200度,到180度,到170度。

高導熱率:導熱率可達3130W/mK
4高導電率:體阻低至2.2*10-6
5 耐候性好:-55-250°C

1降低綜合成本:可以支持高電壓和更高工作溫度的硅以及寬能隙器件,并且?guī)椭蛻裘壳叱杀窘档?0%以上。

實現(xiàn)規(guī)模生產(chǎn):善仁新材的燒結銀可以多種產(chǎn)品形式供應,再加上Ag、Au和Cu表面處理方案,可提供的靈活解決方案,幫助客戶實現(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)和提高良率。

隨著汽車的電子化和EV、HEV的實用化以及SiC/GaN器件的亮相等,車載功率半導體正在走向多樣化。比如,不僅是單體的功率MOSFET,將控制IC(電路)一體化了的IPD(IntelligentPowerDevice)也面世且品種不斷增加。

當前功率半導體行業(yè)正在面臨SiC和GaN等寬禁帶半導體強勢崛起,隨著電動汽車市場的增量放大,消費者對汽車的高續(xù)航、超快充等要求越來越高,電力電子模塊的功率密度、工作溫度及可靠性的要求也在越來越復雜,封裝成了提升可靠性和性能的關鍵。封裝是承載器件的載體,也是SiC芯片可靠性、充分發(fā)揮性能的關鍵。

標簽:SiC芯片燒結銀GaN芯片燒結銀
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