穩(wěn)定性氧化鋯
外　　觀： 白色粉末
性　　質： 、無味，化學性質穩(wěn)定，熱導率低，耐熱沖擊性好。
用　　途： 適用于制造各類機械部件、切削工具、、結構陶瓷、電子陶瓷、生物陶瓷、耐火材料、光通訊器件、氧傳感器、固體氧燃料電池等。

磁控濺射鍍膜靶材：
金屬鋯濺射鍍膜靶材，合金濺射鍍膜靶材，陶瓷濺射鍍膜靶材，硼化物陶瓷濺射靶材，碳化物陶瓷濺射靶材，氟化物陶瓷濺射靶材 ，氮化物陶瓷濺射靶材 ，氧化物陶瓷靶材，硒化物陶瓷濺射靶材 ，硅化物陶瓷濺射靶材 ，硫化物陶瓷濺射靶材 ，碲化物陶瓷濺射靶材 ，其他陶瓷靶材，摻鉻一氧化硅陶瓷靶材(Cr-SiO)，磷化銦靶材(InP)，化鉛靶材(PbAs)，化銦靶材(InAs)。
高純高密度濺射靶材有：
濺射靶材（純度：99.9%-99.999%）

磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個正交磁場和電場，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場，同高壓電場組成正交電磁場。在電場的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動量轉換原理以較高的動能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設備原理簡單，在濺射金屬時，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導電材料外，也可濺射非導電的材料，同時還司進行反應濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。20世紀90年代以來，濺射靶材及濺射技術的同步發(fā)展，地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產業(yè)中，各種顯示技術(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經用于電腦及計算機的顯示器制造；在信息存儲產業(yè)中，磁性存儲器的存儲容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對所需濺射靶材的質量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。
市場概況
日本。就美國而言．約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務，全球主要靶材制造商通常會在客戶所在地設立分公司。近段時間，的一些國家和地區(qū)，如臺灣．韓國和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對靶材廠商而言，這是相當重要的新興市場。中國靶材產業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴大自己的規(guī)模和生產技術，國內一線生產制造靶材的已經達到國外的技術水平。2010年，日本三菱公司就在中國臺灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產基地，可以滿足臺灣50%的靶材需要。

金屬鋯靶材，金屬鉿靶，金屬鈦靶材
鎳靶、Ni、鈦靶、Ti、鋅靶、Zn、鉻靶、Cr、鎂靶、Mg、鈮靶、Nb、錫靶、Sn、鋁靶、Al、銦靶、In、鐵靶、Fe、鋯鋁靶、ZrAl、鈦鋁靶、TiAl、鋯靶、Zr、鋁硅靶、AlSi、硅靶、Si、銅靶Cu、鉭靶T、a、鍺靶、Ge、銀靶、Ag、鈷靶、Co、金靶、Au、釓靶、Gd、鑭靶、La、釔靶、Y、鈰靶、Ce、鎢靶、w、不銹鋼靶、鎳鉻靶、NiCr、鉿靶、Hf、鉬靶、Mo、鐵鎳靶、FeNi、鎢靶、W等。

我們曾在多種農藥設備上進行過工業(yè)鋯的應用研究，如在農藥反應罐中進行了鋯的實際應用與掛片試驗。農藥水解反應的條件為：20%硫酸+甲萘胺；溫度220-250℃；15個大氣壓（1520kPa)，一個流程時間為7h，在此條件下設備腐蝕嚴重，1mm厚普通鋼板，反應后即腐蝕穿孔。原采用罐內搪12- 14mm厚的鉛層為防腐層，則易污染環(huán)境，鉛的抗腐蝕也較差，一個搪鉛反應罐，僅能使用50-60批料即穿孔漏液。鋯掛片試驗條件為：生產介質20%硫酸+甲萘胺；生產200-250℃；壓力14-15個大氣（1419- 1520kPa)。結果表明，隨時間增加，鋯母材與焊縫區(qū)氧含量稍有增加，但增加速度較緩，對鋯的力學性能未引起惡化。而氫含量卻在這種介質腐蝕中逐漸下降，可減少脆性，對鋯有利，年腐蝕率僅為 0.024-0.04mm/a。