磁控濺射原理：鋯靶在被濺射的靶極(陰極)與陽極之間加一個(gè)正交磁場(chǎng)和電場(chǎng)，在高真空室中充入所需要的惰性氣體(通常為Ar氣)，磁鐵在靶材料表面形成250～350高斯的磁場(chǎng)，同高壓電場(chǎng)組成正交電磁場(chǎng)。在電場(chǎng)的作用下，Ar氣電離成正離子和電子，靶上加有一定的負(fù)高壓，從靶極發(fā)出的電子受磁場(chǎng)的作用與工作氣體的電離幾率，在陰極附近形成高密度的等離子體，Ar離子在洛侖茲力的作用下加速飛向靶面，以很高的速度轟擊靶面，使靶上被濺射出來的原子遵循動(dòng)量轉(zhuǎn)換原理以較高的動(dòng)能脫離靶面飛向基片淀積成膜。 磁控濺射一般分為二種：支流濺射和射頻濺射，其中支流濺射設(shè)備原理簡(jiǎn)單，在濺射金屬時(shí)，其速率也快。而射頻濺射的使用范圍更為廣泛，除可濺射導(dǎo)電材料外，也可濺射非導(dǎo)電的材料，同時(shí)還司進(jìn)行反應(yīng)濺射制備氧化物、氮化物和碳化物等化合物材料。若射頻的頻率提高后就成為微波等離子體濺射，常用的有電子回旋共振(ECR)型微波等離子體濺射。

各種類型的濺射薄膜材料，鉿靶，鋯靶在半導(dǎo)體集成電路(VLSI)、光碟、平面顯示器以及工件的表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用。20世紀(jì)90年代以來，濺射靶材及濺射技術(shù)的同步發(fā)展，地滿足了各種新型電子元器件發(fā)展的需求。例如，在半導(dǎo)體集成電路制造過程中，以電阻率較低的銅導(dǎo)體薄膜代替鋁膜布線：在平面顯示器產(chǎn)業(yè)中，各種顯示技術(shù)(如LCD、PDP、OLED及FED等)的同步發(fā)展，有的已經(jīng)用于電腦及計(jì)算機(jī)的顯示器制造；在信息存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中，磁性存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量不斷增加，新的磁光記錄材料不斷推陳出新這些都對(duì)所需濺射靶材的質(zhì)量提出了越來越高的要求，需求數(shù)量也逐年增加。
市場(chǎng)概況
日本。就美國(guó)而言．約有50家中小規(guī)模的靶材制造商及經(jīng)銷商，其中大的公司員工大約有幾百人。不過為了能更接近使用者，以便提供更完善的售后服務(wù)，全球主要靶材制造商通常會(huì)在客戶所在地設(shè)立分公司。近段時(shí)間，的一些國(guó)家和地區(qū)，如臺(tái)灣．韓國(guó)和新加坡，就建立了越來越多制造薄膜元件或產(chǎn)品的工廠，如IC、液晶顯示器及光碟制造廠。
對(duì)靶材廠商而言，這是相當(dāng)重要的新興市場(chǎng)。中國(guó)靶材產(chǎn)業(yè)發(fā)展也是與日俱增，不斷的擴(kuò)大自己的規(guī)模和生產(chǎn)技術(shù)，國(guó)內(nèi)一線生產(chǎn)制造靶材的已經(jīng)達(dá)到國(guó)外的技術(shù)水平。2010年，日本三菱公司就在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)建立了光碟塒靶材的生產(chǎn)基地，可以滿足臺(tái)灣50%的靶材需要。

鋯作為與氧有親和力的活潑金屬，氧化膜的耐蝕性能決定了其可以勝任多重腐蝕環(huán)境。
一、工業(yè)純鋯在所有的沸騰的所有濃度鹽酸中，腐蝕速率均小于0.025mm/a。
二、在小于70%的硫酸中鋯具有的耐蝕性。此外由于不銹鋼和鎳合金不能在高溫、20%的硫酸和40-60%的沸騰溫度以下的硫酸范圍內(nèi)使用，故鋯在硫酸環(huán)境具有無可替代的作用。
三、在200℃以下，不大于90%的硝酸中，鋯具有良好的耐蝕性。但應(yīng)注意鋯在硝酸中的應(yīng)力腐蝕開裂敏感性。
四、鋯在所有濃度甚至沸騰的苛性堿溶液中都耐腐蝕。耐蝕性超過了鉭、鈮、鈦。