回收芯片可以有效地減少廢棄電子產(chǎn)品對環(huán)境的影響，同時也可以回收有價值的金屬和材料，為環(huán)保和資源回收做出貢獻?；厥招酒枰脑O備和技術，同時也需要合法的回收渠道和處理方式，以確?；厥者^程的安全和合法性。

回收芯片不僅可以減少資源消耗，還可以減少對環(huán)境的污染和能源的浪費?；厥招酒梢员苊鈴U棄芯片對環(huán)境造成的污染，同時也可以減少新芯片的生產(chǎn)和能源消耗。

晶體三極管（以下簡稱三極管）按材料分有兩種：鍺管和硅管。而每一種又有NPN和PNP兩種結構形式，但使用多的是硅NPN和鍺PNP兩種三極管，（其中，N表示在高
純度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在電壓下產(chǎn)生自由電子導電，而p是加入硼取代硅，產(chǎn)生大量空穴利于導電）。兩者除了電源極性不同外，其工作原理都
是相同的，下面僅介紹NPN硅管的電流放大原理。
對于NPN管，它是由2塊N型半導體中間夾著一塊P型半導體所組成，發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間形成的PN結稱為發(fā)射結,而集電區(qū)與基區(qū)形成的PN結稱為集電結,三條引線分別稱
為發(fā)射極。
（Emitter）、基極b(Base)和集電極c(Collector)。
當b點電位e點電位零點幾伏時，發(fā)射結處于正偏狀態(tài)，而C點電位b點電位幾伏時，集電結處于反偏狀態(tài)，集電極電源Ec要基極電源Eb。
意識地使發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流子濃度大于基區(qū)的，同時基區(qū)做得很薄，而且，要嚴格控制雜質含量，這樣，一旦接通電源后，由于發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)的多數(shù)載流
子（電子）及基區(qū)的多數(shù)載流子（空穴）很容易地越過發(fā)射結互相向對方擴散，但因前者的濃度基大于后者，所以通過發(fā)射結的電流基本上是電子流，這股電子流稱
為發(fā)射極電流了。
由于基區(qū)很薄,加上集電結的反偏，注入基區(qū)的電子大部分越過集電結進入集電區(qū)而形成集電極電流Ic，只剩下很少（1-10%）的電子在基區(qū)的空穴進行復合，被復合
掉的基區(qū)空穴由基極電源Eb重新補給，從而形成了基極電流Ibo.根據(jù)電流連續(xù)性原理得