關(guān)鍵詞 |
商丘電鍍廠純凈水設(shè)備,純凈水設(shè)備,商丘純凈水設(shè)備,純凈水設(shè)備 |
面向地區(qū) |
全國 |
材料 |
純銅芯線 |
電壓 |
380v |
工作壓力 |
10mpa |
加工定制 |
是 |
一般來說,電位器的阻值選用5~10kΩ比較合適。對于ADJ輸出引腳,有輸入邊調(diào)節(jié)和輸出邊調(diào)節(jié)兩種方式。輸出邊調(diào)節(jié)的方式與TRIM引腳的調(diào)節(jié)方式一樣。輸入邊調(diào)節(jié)只能增加輸出電壓,此時可以把電位器的一端連接到中心,另一端接地。一般模塊電源產(chǎn)品都內(nèi)置了濾波器,可以滿足一般電源應(yīng)用的要求。如果需要更高要求的電源系統(tǒng),就應(yīng)該增加輸入濾波網(wǎng)絡(luò)。可以采用LC或π型網(wǎng)絡(luò),但要注意盡量選擇較小的電感和較大的電容。為了保護模塊電源,避免由于輸入電源瞬態(tài)高壓而導(dǎo)致?lián)p壞,我們建議用戶在輸入端加入瞬態(tài)吸收二極管,并配合保險絲使用,以確保模塊工作在安全的電壓范圍內(nèi)。為了降低共模噪聲,可以增加Y電容(Cy),一般選擇幾納法的高頻電容。在電路中,R代表保險絲,D1代表保護二極管,D2代表瞬態(tài)吸收二極管(P6KE系列)。遙控開關(guān)電路是通過REM端進行操作的,REM可以以不同的方式連接以實現(xiàn)不同的控制功能。一般來說,有兩種控制方式:1)將REM連接到-VIN(參考地),實現(xiàn)遙控關(guān)斷,要求VREF<0.4V。若將REM懸空或連接到+VIN,模塊將處于工作狀態(tài),要求VREM>1V。2)將REM連接到VIN,實現(xiàn)遙控關(guān)斷,要求VREM<0.4V。若將REM連接到+VIN,模塊將處于工作狀態(tài),要求VREM>1V。若將REM懸空,實現(xiàn)遙控關(guān)斷,即所謂的“懸空關(guān)斷”(-R)。如果需要隔離控制信號和輸入端,則可以使用光電耦合器進行傳輸。如果您想了解更多關(guān)于模塊電源的信息和價格,請咨詢我們。
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一種三相交流電源與三相電器的連接方法。
將三相電源三個繞組的X、Y、Z端連接在一起,形成一個公共點O,并從開始的a、B、C處畫出三條端線。
它是由三個頻率相同、幅值相等、相位差為120°的正弦電源按一定方式連接到外部電源的系統(tǒng)。
三相電源的三個繞組的X、Y、Z端連接在一起,形成一個公共點O,從開始依次畫出a、B、c三條端線,這種連接稱為“星形連接”,也稱“Y型連接”。
三相電源是由三個頻率相同、幅值相等、相位差為120°的正弦電源按一定方式與外部電源連接的系統(tǒng)。
三相電源的連接方式有“y”型和“y”型。
純凈水設(shè)備、反滲透設(shè)備的預(yù)處理系統(tǒng)
作為純凈水生產(chǎn)的依托是非常重要的。所以要生產(chǎn)純凈水一定是要選擇原水水質(zhì)比較好的地方。如山泉、深井等。在這里牽扯到一個非常重要的指數(shù)就是“電導(dǎo)率”,一般而言電導(dǎo)率越低,水越純凈。水處理工藝都是采用的反滲透系統(tǒng),經(jīng)過處理后的水一般能達到90%——99%的脫鹽率;下面我介紹一下這個系統(tǒng)的組成部件。
1、原水泵
原水泵是為原水預(yù)處理系統(tǒng)提供原水壓力的作用。如果原水有壓力就完全可以不用這個設(shè)備。一般要求原水壓力>=0.3MPa
2、原水箱
原水箱的作用更簡單,是儲存原水用的。這是怕原水萬一供不上作一個中轉(zhuǎn)(通常添加浮球開關(guān)是整個系統(tǒng)自動化程度更高)。
3、石英砂過濾器
采用石英砂濾料以除去原水中較大顆粒的懸浮物、泥沙、雜質(zhì)等,降低水的混濁度。而且還可以使水中的有機物質(zhì)、、病毒等隨著濁度的降低而被大量去除,并為濾后消毒創(chuàng)造了良好條件。
4、活性炭過濾器
利用活性碳的吸附能力有效地吸附原水中的有機物、游離性余氯、膠體、微粒、微生物、某些金屬離子及脫色等。
5、軟化系統(tǒng)(加藥系統(tǒng))
利用離子樹脂的交換性能,除去原水中的鈣鎂離子,以達到防止后繼設(shè)備結(jié)生水垢的影響,但是操作起來費工,費料。改為加藥系統(tǒng)直接向里添加阻垢劑。
主要解決以下問題:
1、防止有機物污染;
2、防止膠體物及懸浮固體微粒堵塞;
3、防止氧化性物質(zhì)對膜的氧化破壞;這樣可反滲透裝置穩(wěn)定運行以及正常的使用壽命。
4、防止反滲透膜面結(jié)垢CaCO3、CaSO4、SrSO4、CaF2、SiO2、鐵、鋁氧化物等在膜面沉積
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