<P>陶瓷條概述<BR>本公司引進高科技氮化硅陶瓷制造技術(shù)的基礎(chǔ)上按照國家標(biāo)準(zhǔn)生產(chǎn)的陶瓷條,以高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)（得到理想的陶瓷條坯體密度），經(jīng)1600℃以上高溫?zé)Y(jié)獲得高密度、高強度氮化硅陶瓷制品?？蓮V泛應(yīng)用于機械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件，取得了很好的預(yù)期效果。近年來，隨著制造工藝和測試分析技術(shù)的發(fā)展,陶瓷條等氮化硅陶瓷制品的可靠性不斷提高，因此應(yīng)用面在不斷擴大。</P>
<P><IMG src=""><BR>陶瓷條特點<BR>1、工藝優(yōu)良:陶瓷條采用高純氮化硅粉為原料，利用干壓及等靜壓成型技術(shù)，經(jīng)高溫?zé)Y(jié)具有高強度，硬度，致密度。軋膜成型的優(yōu)點:工藝簡便,軋出的膜片表面光滑,均勻,致密。但反復(fù)軋膜,常會引 入少量雜質(zhì),有時對產(chǎn)品電性能產(chǎn)生不利影響,費時也較長,不便連續(xù)化操作。
主要用涂 :薄片狀電容器坯片、壓電陶瓷揚聲器 (蜂鳴片 ) 、濾波器坯片和厚膜電路基板 坯片等。<BR>2、性能穩(wěn)定:陶瓷條具有的耐磨，耐高溫，耐腐蝕性。氣壓燒結(jié)
氣壓燒結(jié)是指把成型的氮化硅坯體置于5-12MP的氮氣中在1800-2100℃下進行燒結(jié)。由于氮氣壓力高,因此提高了氮化硅的分解溫度,選用能形成高耐火度晶間相的燒結(jié)助劑可以提高材料的高溫性能。
(5)熱等靜壓法
將氮化硅與燒結(jié)助劑的混合物粉末封裝于金屬或玻璃包套中,抽真空,然后通過高壓氣體在高溫下燒結(jié)。常用壓力為200MP,溫度為2000℃。通過熱等靜壓法制得的氮化硅可達(dá)理論密度,但是其工藝復(fù)雜,成本較高。
(6)反應(yīng)燒結(jié)
反應(yīng)燒結(jié)指將原料成型體在一定溫度下通過固相,液相和氣相相互間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),同時進行致密化和規(guī)定組分的合成,得到預(yù)定的燒結(jié)體的過程。在反應(yīng)燒結(jié)過程中液相的存在是非常重要的。制品在燒結(jié)前后幾乎沒有尺寸收縮。反應(yīng)燒結(jié)的溫度低于其他燒結(jié)方法的燒結(jié)溫度。制成的制品中氣孔率較高,機械性能較差。反應(yīng)燒結(jié)得到的制品不需要昂貴的機械加工,可以制成形狀復(fù)雜的制品,在工業(yè)上得到廣泛應(yīng)用。常用于像氮化硅,碳化硅之類的典型共價鍵材料的燒結(jié)。將硅粉或碳粉與粘結(jié)劑混合后成型,然后放入N2氣氛或浸入熔融的硅中,使坯體中的硅或氮氣或熔融硅反應(yīng)來制備氮化硅、碳化硅制品.<BR>3、應(yīng)用廣泛：陶瓷條可廣泛應(yīng)用于機械、冶金、化工、航空、半導(dǎo)體等工業(yè)上作為作某些設(shè)備或產(chǎn)品的零部件。按工藝可以分為反應(yīng)燒結(jié)制品、熱壓制品、常壓燒結(jié)制品、等靜壓燒結(jié)制品和反應(yīng)重?zé)破返?。其中，反?yīng)燒結(jié)是一種常用的生產(chǎn)氮化硅耐火制品的方法。
反應(yīng)燒結(jié)法生產(chǎn)氮化硅制品是將磨細(xì)的硅粉（粒度一般小于80μm），用機壓或等靜壓成型，坯體干燥后，在氮氣中加熱至1350～1400℃，在燒成過程中同時氮化而制得。采用這種生產(chǎn)方法，原料條件和燒成工藝及氣氛條件對制品的性能有很大的影響。</P>
<P><IMG src=""><BR>我們的陶瓷條產(chǎn)品優(yōu)勢<BR>質(zhì)量穩(wěn)定：實行全過程質(zhì)量監(jiān)控，細(xì)致入微，檢測！<BR>價格合理：內(nèi)部成本控制，減少了開支，有利于客戶！<BR>交貨快捷：生產(chǎn)流水線，充足的備貨，縮短了交貨期！<BR>陶瓷條實拍圖<BR>陶瓷條選型手冊<BR>面對市場上各式各樣的陶瓷材料，比如氧化鋁陶瓷，氧化鋯陶瓷，氮化硅陶瓷，碳化硅陶瓷，氮化鋁陶瓷，氮化硼陶瓷等工業(yè)陶瓷。很多客戶會感到忙繞。目前市面上的陶瓷產(chǎn)品選型手冊和選型標(biāo)準(zhǔn)一般是按照材料的性能和應(yīng)用來分類。<BR>陶瓷條氮化硅 陶瓷的制備技術(shù)在過去幾年發(fā)展很快，制備工藝主要集中在反應(yīng)燒結(jié)法、熱壓燒結(jié)法和常壓燒結(jié)法、氣壓燒結(jié)法等類型. 由于制備工藝不同，各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結(jié)構(gòu)（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等）。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的氮化硅 陶瓷材料，應(yīng)制備的氮化硅 粉末. 用不同方法制備的氮化硅 粉質(zhì)量不完全相同，這就導(dǎo)致了其在用途上的差異，許多陶瓷材料應(yīng)用的失敗，往往歸咎于不了解各種陶瓷粉末之間的差別，對其性質(zhì)認(rèn)識不足。一般來說，的氮化硅 粉應(yīng)具有α相含量高，組成均勻，雜質(zhì)少且在陶瓷中分布均勻，粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少應(yīng)占90%，這是由于氮化硅 在燒結(jié)過程中,部分α相會轉(zhuǎn)變成β相，而沒有足夠的α相含量，就會降低陶瓷材料的強度。
反應(yīng)燒結(jié)法（ RS)
是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆). 后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結(jié)，得到尺寸變化很小的產(chǎn)品（即生坯燒結(jié)后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。反應(yīng)燒結(jié)法適于制造形狀復(fù)雜，尺寸的零件，成本也低，但氮化時間很長。
熱壓燒結(jié)法（ HPS)
是將氮化硅 粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結(jié)。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結(jié)氮化硅 陶瓷，其強度高達(dá)981MPa以上。燒結(jié)時添加物和物相組成對產(chǎn)品性能有很大的影響。由于嚴(yán)格控制晶界相的組成，以及在氮化硅 陶瓷燒結(jié)后進行適當(dāng)?shù)臒崽幚?，所以可以獲得即使溫度高達(dá)1300 ℃時強度（可達(dá)490MPa以上）也不會明顯下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕變性可提高三個數(shù)量級。若對氮化硅 陶瓷材料進行1400———1500 ℃高溫預(yù)氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結(jié)法生產(chǎn)的氮化硅 陶瓷的機械性能比反應(yīng)燒結(jié)的氮化硅 要，強度高、密度大。但制造成本高、燒結(jié)設(shè)備復(fù)雜，由于燒結(jié)體收縮大，使產(chǎn)品的尺寸精度受到一定的限制，難以制造復(fù)雜零件，只能制造形狀簡單的零件制品，工件的機械加工也較困難。
常壓燒結(jié)法（ PLS)
在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面，利用氮化硅 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進行氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進氮化硅 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點與熱壓燒結(jié)相似。
氣壓燒結(jié)法（ GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進氮化硅晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。<BR>陶瓷條高韌性的層狀氮化硅基復(fù)合材料，主層內(nèi)加入一定量的SiC晶須，產(chǎn)生兩級增韌效果，層狀氮化硅陶瓷的斷裂韌性可達(dá)20.11MPa·m1/2。 4氮化硅陶瓷的應(yīng)用 由于氮化硅陶瓷的性能，它已在許多工業(yè)領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用。如：在機械工業(yè)中用作渦輪葉片、機械密封環(huán)、高溫軸承、高速切削工具、性模具等；冶金工業(yè)中用作坩堝、燃燒嘴、鋁電解槽襯里等熱工設(shè)備上的部件；化學(xué)工業(yè)中用作耐蝕、耐磨零件包括球閥、泵體、燃燒器、汽化器等；電子工業(yè)中用作薄膜電容器、高溫絕緣體等；航空航天領(lǐng)域用作雷達(dá)天線罩、發(fā)動機等；原子能工業(yè)中用作原子反應(yīng)堆中的支承件和隔離件、核裂變物質(zhì)的載體等。 氮化硅陶瓷具有的綜合性能和豐富的資源，是一種理 想的高溫結(jié)構(gòu)材料，具有廣闊的應(yīng)用領(lǐng)域和市場，都在競相研究和開發(fā)?？梢灶A(yù)言：隨著陶瓷的基礎(chǔ)研究和新技術(shù)開發(fā)的不斷進步，特別是復(fù)雜件和大型件制備技術(shù)的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作為性能優(yōu)良的工程材料將得到更廣泛的應(yīng)用。</P>
<P>陶瓷條訂購注意事項<BR>1、此產(chǎn)品不支持網(wǎng)上訂購，由于氮化硅陶瓷產(chǎn)品大多數(shù)屬于非標(biāo)定制件，如您需要訂購陶瓷條產(chǎn)品請隨時致電聯(lián)系我們，我們一定會盡心盡力為您提供的服務(wù)。電話： <BR>2、①需要提供圖紙或者樣品。②需要告知訂購數(shù)量③需要告知應(yīng)用場合及對產(chǎn)品的技術(shù)要求④使用溫度⑤使用介質(zhì)⑥其他要注意的事項。<BR>3、如有特殊要求時請在訂購產(chǎn)品時注明。<BR>4、當(dāng)使用的場合非常重要或者環(huán)境比較復(fù)雜時，請盡量提供設(shè)計圖紙。</P>
<P>陶瓷條使用注意事項<BR>氮化硅陶瓷屬于硬脆材料，在材料的加工使用過程中應(yīng)注意：<BR>氮化硅 陶瓷的制備技術(shù)在過去幾年發(fā)展很快，制備工藝主要集中在反應(yīng)燒結(jié)法、熱壓燒結(jié)法和常壓燒結(jié)法、氣壓燒結(jié)法等類型. 由于制備工藝不同，各類型氮化硅陶瓷具有不同的微觀結(jié)構(gòu)（如孔隙度和孔隙形貌、晶粒形貌、晶間形貌以及晶間第二相含量等）。因而各項性能差別很大 。要得到性能優(yōu)良的氮化硅 陶瓷材料，應(yīng)制備的氮化硅 粉末. 用不同方法制備的氮化硅 粉質(zhì)量不完全相同，這就導(dǎo)致了其在用途上的差異，許多陶瓷材料應(yīng)用的失敗，往往歸咎于不了解各種陶瓷粉末之間的差別，對其性質(zhì)認(rèn)識不足。一般來說，的氮化硅 粉應(yīng)具有α相含量高，組成均勻，雜質(zhì)少且在陶瓷中分布均勻，粒徑小且粒度分布窄及分散性好等特性。好的氮化硅 粉中α相至少應(yīng)占90%，這是由于氮化硅 在燒結(jié)過程中,部分α相會轉(zhuǎn)變成β相，而沒有足夠的α相含量，就會降低陶瓷材料的強度。
反應(yīng)燒結(jié)法（ RS)
是采用一般成型法，先將硅粉壓制成所需形狀的生坯，放入氮化爐經(jīng)預(yù)氮化（部分氮化）燒結(jié)處理，預(yù)氮化后的生坯已具有一定的強度，可以進行各種機械加工（如車、刨、銑、鉆). 后，在硅熔點的溫度以上；將生坯再一次進行完全氮化燒結(jié)，得到尺寸變化很小的產(chǎn)品（即生坯燒結(jié)后，收縮率很小，線收縮率< 011% ). 該產(chǎn)品一般不需研磨加工即可使用。反應(yīng)燒結(jié)法適于制造形狀復(fù)雜，尺寸的零件，成本也低，但氮化時間很長。
熱壓燒結(jié)法（ HPS)
是將氮化硅 粉末和少量添加劑（如MgO、Al2O3、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的壓強和1600 ℃以上的溫度進行熱壓成型燒結(jié)。英國和美國的一些公司采用的熱壓燒結(jié)氮化硅 陶瓷，其強度高達(dá)981MPa以上。燒結(jié)時添加物和物相組成對產(chǎn)品性能有很大的影響。由于嚴(yán)格控制晶界相的組成，以及在氮化硅 陶瓷燒結(jié)后進行適當(dāng)?shù)臒崽幚?，所以可以獲得即使溫度高達(dá)1300 ℃時強度（可達(dá)490MPa以上）也不會明顯下降的氮化硅系陶瓷材料，而且抗蠕變性可提高三個數(shù)量級。若對氮化硅 陶瓷材料進行1400———1500 ℃高溫預(yù)氧化處理，則在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能顯著提高氮化硅 陶瓷的耐氧化性和高溫強度。熱壓燒結(jié)法生產(chǎn)的氮化硅 陶瓷的機械性能比反應(yīng)燒結(jié)的氮化硅 要，強度高、密度大。但制造成本高、燒結(jié)設(shè)備復(fù)雜，由于燒結(jié)體收縮大，使產(chǎn)品的尺寸精度受到一定的限制，難以制造復(fù)雜零件，只能制造形狀簡單的零件制品，工件的機械加工也較困難。
常壓燒結(jié)法（ PLS)
在提高燒結(jié)氮氣氛壓力方面，利用氮化硅 分解溫度升高（通常在N2 = 1atm氣壓下，從1800℃開始分解）的性質(zhì)，在1700———1800℃溫度范圍內(nèi)進行常壓燒結(jié)后，再在1800———2000℃溫度范圍內(nèi)進行氣壓燒結(jié)。該法目的在于采用氣壓能促進氮化硅 陶瓷組織致密化，從而提高陶瓷的強度.所得產(chǎn)品的性能比熱壓燒結(jié)略低。這種方法的缺點與熱壓燒結(jié)相似。
氣壓燒結(jié)法（ GPS)
近幾年來,人們對氣壓燒結(jié)進行了大量的研究，獲得了很大的進展。氣壓燒結(jié)氮化硅在1 ～10MPa氣壓下，2000℃左右溫度下進行。高的氮氣壓抑制了氮化硅的高溫分解。由于采用高溫?zé)Y(jié)，在添加較少燒結(jié)助劑情況下，也足以促進氮化硅晶粒生長，而獲得密度> 99%的含有原位生長的長柱狀晶粒高韌性陶瓷. 因此氣壓燒結(jié)無論在實驗室還是在生產(chǎn)上都得到越來越大的重視. 氣壓燒結(jié)氮化硅陶瓷具有高韌性、高強度和好的耐磨性，可直接制取接近終形狀的各種復(fù)雜形狀制品，從而可大幅度降低生產(chǎn)成本和加工費用. 而且其生產(chǎn)工藝接近于硬質(zhì)合金生產(chǎn)工藝，適用于大規(guī)模生產(chǎn)。 <BR></P>
