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新增8個產(chǎn)品，為逆變器的大容量、小型化做貢獻
擴大 “X系列HVIGBT模塊” 產(chǎn)品陣容

三菱電機株式會社將自9月起陸續(xù)發(fā)售“X系列HVIGBT※1模塊”8個產(chǎn)品（包含電壓等級3.3kV、4.5kV、和6.5kV）。此次發(fā)售的產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體模塊的新產(chǎn)品，主要用于需要高耐壓、大電流、高可靠性的鐵路牽引、電力傳輸、大型工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。本產(chǎn)品將在“TECHNO-FRONTIER 2017 -MOTORTECH JAPAN-”（4月19-21日本幕張舉行）“PCIM※1 Europe 2017”（5月16-18日于德國紐倫堡舉行）以及“PCIM※1 Asia 2017”（6月27-29日于中國上海舉行）上展出。
※1　High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor：高壓絕緣柵型雙極晶體管

新產(chǎn)品的特點
1．實現(xiàn)行業(yè)水平的額定電流，為逆變器的大容量化做貢獻
·在“X系列”中增加3.3kV級（1200A/1800A）、4.5kV級（900A/1350A/1500A）、6.5kV級（600A/900A）共計8個產(chǎn)品
·3.3kV、4.5kV級實現(xiàn)了行業(yè)水平※2的額定電流1800A、1500A，可實現(xiàn)更大容量的逆變器
※2　截至2017年4月5日，根據(jù)本公司的調(diào)查
2．應(yīng)用第7代IGBT和RFC二極管，為逆變器的小型化做貢獻
?采用三菱CSTBTTM※3結(jié)構(gòu)的第7代IGBT和RFC二極管※4 硅片技術(shù)，與以往產(chǎn)品相比※5，功率損耗降低
約20％
·與具有相同耐壓和額定電流的以往產(chǎn)品※5相比，外形尺寸大約縮小33%，可為逆變器的小型化做貢獻
·全系列產(chǎn)品實現(xiàn)了150℃的工作溫度，因此可以簡化逆變器冷卻系統(tǒng)設(shè)計，有利于逆變器的小型化
※3　載流子存儲式溝槽柵型雙極晶體管
※4　Relaxed Field of Cathode：本公司二極管，提高了陰極側(cè)電子遷移率
※5　X系列CM1200HC-66X與H系列CM1200HC-66H的比較
3．通過優(yōu)化封裝結(jié)構(gòu)，為提高逆變器的可靠性做貢獻
·通過優(yōu)化封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)，提高散熱性、耐濕性、阻燃性，延長產(chǎn)品壽命


銷售目標
三菱電機的“HVIGBT”模塊自1997年實現(xiàn)產(chǎn)品化以來，以其的性能和高可靠性獲得好評，被廣泛應(yīng)用于鐵路車輛牽引系統(tǒng)、直流輸電設(shè)備以及大型工業(yè)設(shè)備等。
近年來，由于人們環(huán)保意識提高，對逆變器的大容量化、率化以及高可靠性要求越來越高。
　 本公司為滿足這些需求，自2015年11月開始發(fā)售“X系列HVIGBT模塊”的6.5kV/1000A產(chǎn)品，該產(chǎn)品通過采用第7代IGBT和RFC二極管，降低功率損耗，實現(xiàn)了大容量化。
　 此次，本公司在“X系列HVIGBT模塊”產(chǎn)品陣容中增加8個產(chǎn)品，為逆變器的大容量、小型化做出貢獻。

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