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照明原理
LED光源的LED是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如GaAs（砷化鎵）、GaP（磷化鎵）、GaAsP（磷砷化鎵）等半導體制成的，其核心是PN結(jié)。因此它具有一般P-N結(jié)的I-V特性，即正向?qū)?，反向截止、擊穿特性。此外，在一定條件下，它還具有發(fā)光特性。在正向電壓下，電子由N區(qū)注入P區(qū)，空穴由P區(qū)注入N區(qū)。進入對方區(qū)域的少數(shù)載流子（少子）一部分與多數(shù)載流子（多子）復合而發(fā)光。
假設發(fā)光是在P區(qū)中發(fā)生的，那么注入的電子與價帶空穴直接復合而發(fā)光，或者先被發(fā)光中心捕獲后，再與空穴復合發(fā)光。除了這種發(fā)光復合外，還有些電子被非發(fā)光中心（這個中心介于導帶、介帶中間附近）捕獲，而后再與空穴復合，每次釋放的能量不大，不能形成可見光。發(fā)光的復合量相對于非發(fā)光復合量的比例越大，光量子效率越高。由于復合是在少子擴散區(qū)內(nèi)發(fā)光的，所以光僅在靠近PN結(jié)面數(shù)μm以內(nèi)產(chǎn)生。
理論和實踐證明，光的峰值波長λ與發(fā)光區(qū)域的半導體材料帶隙Eg有關(guān)，即 λ≈1240/Eg（mm）
式中Eg的單位為電子伏特（eV）。若能產(chǎn)生可見光（波長在380nm紫光～780nm紅光），半導體材料的Eg應在3.26～1.63eV之間。比紅光波長長的光為紅外光。已有紅外、紅、黃、綠及藍光發(fā)光二極管，但其中藍光二極管成本、價格很高，使用不普遍。

線性驅(qū)動應用是一種為簡單和為直接的驅(qū)動應用方式。在照明級白光LED應用中，雖然存在著效率低、調(diào)節(jié)性差等問題，但是由于其電路簡單、體積小巧，能滿足一些特定的場合應用較多。
開關(guān)型驅(qū)動可以獲得良好的電流控制精度和較高的總體效率,應用方式主要分為降壓式和升壓式兩大類。降壓式開關(guān)驅(qū)動是針對電源電壓LED的端電壓或者是多個LED采用并聯(lián)驅(qū)動情況下的應用。升壓式開關(guān)驅(qū)動是針對電源電壓低于LED的端電壓或者是多個LED采用串聯(lián)驅(qū)動情況下的應用。
一般認為,隔離型驅(qū)動安全但效率較低,非隔離型驅(qū)動效率較高,應按實際使用的要求來選。
設計一般的基本LED驅(qū)動器照明應用相對較簡單，但是如果還需要其它功能如相位控制調(diào)光和功率因子校正(PFC)，設計就變得復雜。無功率因子校正功能的非調(diào)光LED驅(qū)動器通常包含一個離線式開關(guān)電源，用于恒定電流下調(diào)節(jié)輸出。
LED驅(qū)動器的后端架構(gòu)包含一個具有短路保護功能的電流調(diào)節(jié)電路?？梢岳镁€性調(diào)節(jié)電路達到這一目的，然而這種方法本身效率低下，因此適用低輸出電流，通常不會應用到多級架構(gòu)中去。替代方法是使用簡單的、具有電流回饋功能的降壓穩(wěn)壓器電路，以便限制了輸出電流超過期望的LED驅(qū)動電流。其抵消了總LED正向電壓隨溫度和器件容差的變化，還限制了出現(xiàn)短路或其它故障條件時的電流,從而能夠保護驅(qū)動器免遭損壞。

按照建筑物的外形建筑物及其墻體材料重新塑造一個與白天不同的新形象，出色的樓體夜景亮化照明不會一蹴而就，需要帶入設計師的情感在里面，按照設計風格體現(xiàn)藝術(shù)的特美，整個亮化設計都以外界的透視為標準，參照遠距離的干擾，相對灰暗的環(huán)境能使對自然環(huán)境的干擾降至低。針對古建筑等文物建筑物整個燈具、線路的材料，比如電纜、金屬線條的防火處理、接線盒防爆器等等，都應使用耐腐蝕、耐磨、高絕緣材料，屬于耐火別；不直接安裝在文物上面，與文物本身務必的安全距離。