氮化硅陶瓷球批發(fā)<br>

納米粉原料中含有大量的SiO2可以促進(jìn)坯體的燒結(jié)，同 時(shí)對(duì)瓷體的介電性能有較大的影響因坯體收縮，在致密 化以前，其介電常數(shù)隨燒結(jié)溫度的升高而增大當(dāng)溫度高 于1 510℃時(shí)，隨著燒結(jié)溫度的升高，原料中氮化的Si-O數(shù) 增加，瓷體的宏觀缺陷增加，相對(duì)密度降低，因此瓷體的介電常數(shù)趨于減小在1 510℃燒結(jié)溫度下，若不加埋料時(shí)，坯體中有的Si-O不能被氮化； 用石墨粉作埋料，則發(fā)生滲碳現(xiàn)象，降低了Si3N4天線 罩材料的介電性能<br>
硬度9~9.5，努氏硬度約為2200，顯微硬度為32630MPa
氮化硅在 600℃以上能使過渡金屬（見過渡元素）氧化物、氧化鉛、氧化鋅和二氧化錫等還原,并放出氧化氮和二氧化氮<br>

熱導(dǎo)率為16.7W/(m·K)在很寬的溫度范圍內(nèi)氮化硅都是一種具有一定的熱導(dǎo)率、低熱膨脹系數(shù)、彈性模量較高的高強(qiáng)度硬陶瓷<br>
灰色、白色或灰白色<br>

在相同的溫差條件下，碳化硅材料的尺度變化要小得多，相應(yīng)材料內(nèi)部產(chǎn)生的熱應(yīng)力就小，從而使材料體現(xiàn)出較強(qiáng)的抵抗熱負(fù)荷的能力圖2給出氧化鋁和碳化硅兩種多孔材料的熱膨脹系數(shù)與溫度的關(guān)系，在溫度為30～1000℃范圍內(nèi)，多孔氧 化鋁和碳化硅的熱膨脹系數(shù)分別為7.03×10－6 /K與 1.14×10－6/K，多孔碳化硅的熱膨脹系數(shù)僅為氧化鋁的16%，表明碳化硅材料的抗熱震性能較氧化鋁<br>

屬高溫難溶化合物，無熔點(diǎn)，抗高溫蠕變能力強(qiáng)，不含粘結(jié)劑的反應(yīng)燒結(jié)氮化硅負(fù)荷軟化點(diǎn)在1800℃以上<br>
比體積電阻，20℃時(shí)為1.4×105 ·m,500℃時(shí)為4×108 ·m氮化硅陶瓷可做高溫絕緣材料，其性能指標(biāo)的優(yōu)劣主要取決于合成方式與純度，材料內(nèi)未被氮化的游離硅，在制備中帶入的堿金屬、堿土金屬、鐵、鈦、鎳等雜志，均可惡化氮化硅陶瓷的電性能，一般氮化硅陶瓷在室溫下、在干燥介質(zhì)中的比電阻為1015～1016歐姆，介電常數(shù)是9.4～9.5，在高溫下，氮化硅陶瓷仍保持較高的比電阻值，隨著工藝條件的提高，氮化硅可以進(jìn)入常用電介質(zhì)行列<br>

剪切模量：材料常數(shù),是剪切應(yīng)力與應(yīng)變的比值又稱切變模量或剛性模量材料的力學(xué)性能指標(biāo)之一是材料在剪切應(yīng)力作用下，在彈性變形比例極限范圍內(nèi)，切應(yīng)力與切應(yīng)變的比值它表征材料抵抗切應(yīng)變的能力模量大，則表示材料的剛性強(qiáng)剪切模量的倒數(shù)稱為剪切柔量，是單位剪切力作用下發(fā)生切應(yīng)變的量度，可表示材料剪切變形的難易程度<br>
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