應用范圍：
一、玻璃：平板玻璃、浮法玻璃、玻璃制品（玻璃罐、玻璃瓶、玻璃管等）、光學玻璃、玻璃纖維、玻璃儀器、導電玻璃、玻璃布及防射線特種玻璃等的主要原料。
二、陶瓷及耐火材料：瓷器的胚料和釉料，窯爐用高硅磚、普通硅磚以及碳化硅等的原料。
三、建筑：混凝土、膠凝材料、筑路材料、人造大理石、水泥物理性能檢驗材料（即水泥標準砂）等
四、化工：硅化合物和水玻璃等的原料，硫酸塔的填充物，無定形二氧化硅微粉
五、機械：鑄造型砂的主要原料，研磨材料（噴砂、硬研磨紙、砂紙、砂布等）
六、電子：高純度金屬硅、通訊用光纖等
七、橡膠、塑料：填料（可提高耐磨性）
八、涂料：填料（可提高涂料的耐候性）。
九、冶金：硅金屬、硅鐵合金和硅鋁合金等的原料或添加劑、熔劑 。
十、航空、航天：其內(nèi)在分子鏈結構、晶體形狀和晶格變化規(guī)律，使其具有的耐高溫、熱膨脹系數(shù)小、高度絕緣、耐腐蝕、壓電效應、諧振效應以及其特的光學特性。
常用包裝為25KG和50KG.

石英粉分干法和水法兩種生產(chǎn)方式，各種常規(guī)規(guī)格：120M，200M，260M，325M，600M,800M,1000M及2000M(M為目數(shù))。另外也可按客戶要求加工異型規(guī)格，要求粒度分布的一般也可加工。

優(yōu)良的自然石英,經(jīng)由過程怪異的低溫處置工藝加工而構成的粉末,重鈣粉使其份子布局分列由有序分列轉為無序分列.其色白,純度較高、活動機能好、并具備如下機能:
　　一、精良的光學性子:方石英的折射率從石英的1.55降低到1.48,更靠近PE、PP及一些樹脂的折射率.夾雜后的樹脂呈通明狀,不粉飾顏料自己的色采,而用別的填料添補則會使顏料的色采變淺、失真.
　　二、反射率:方石英的詳細布局有助光反射,可代替玻璃微珠作反光油漆,既可加強防滑性,又可進步油漆的反光性.
　　三、白度,低密度、光彩亮光:方石英的白度達95%以上,在涂料、油漆中使用,可代替部門鈦白粉,低落配方本錢.
　　四、抗腐化,耐刻畫、耐擦洗、耐磨機能好.
　　五、不含有機物凈化,金屬含量極低:可加強涂料的抗紫內(nèi)線本領,并具備精良的絕緣性、精良的電磁輻射性和低的介電常數(shù).
　　六、精良的抗熱震性.方石英受熱220m240℃左右時,產(chǎn)生必定水平的熱收縮,恰好抵償環(huán)氧樹脂、石膏等在此溫度下固化反響時的緊縮,使?jié)沧Ⅲw不變形.
　　七、極低的熱收縮系數(shù)、抗積淀性好、抗腐化性好.
　　利用行業(yè):電子質料、高功效環(huán)氧樹脂、緊密鍛造、電瓷、電子晶片打磨、拋光質料、珠寶行業(yè)、特種陶瓷質料、特種耐火質料、造紙、涂料油漆涂料、緊密模具、屏障質料行業(yè),日用化工,粘合劑,塑料,PTC質料、航空、航天、齒科質料和硅橡膠等中填料,各種產(chǎn)業(yè)庇護涂料、木器、粉末涂料、油墨及其余功效性利用

石英粉的用途：用于玻璃行業(yè)可制造各種平板玻璃、夾絲玻璃、壓花玻璃、空心玻璃、泡沫玻璃、玻璃磚、各類包裝瓶罐，玻璃器皿如：啤酒瓶、玻璃杯、保溫瓶及裝飾品，可以制造光學玻璃，玻璃儀器，玻璃纖維，導電玻璃，玻璃不及防射線特種玻璃。鑄造行業(yè)用于造型用沙。冶金行業(yè)可作冶煉添加劑，熔劑及各種硅鐵合金。耐火材料行業(yè)可作窯用高溫磚，普通磚及耐火材料等。水泥行業(yè)可作沙子水泥配料，加氣混凝土，普通制品等。化學工業(yè)可制造水玻璃、硅膠、干燥劑，石油精煉催化劑。制造外墻涂料，馬路畫線漆等。

硅微粉是由天然石英（SiO2）或熔融石英（天然石英經(jīng)高溫熔融、冷卻后的非晶態(tài)SiO2）經(jīng)破碎、球磨（或振動、氣流磨）、浮選、酸洗提純、高純水處理等多道工藝加工而成的微粉。

微硅粉的生產(chǎn)方法主要有：
，三氯氫硅法將干燥的硅粉加入合成爐中，與通入的干燥氯化氫氣體在280～330℃有氯化亞銅催化劑存在下進行氯化反應，反應氣體經(jīng)旋風分離除去雜質，再用氯化鈣冷凍鹽水將氣態(tài)三氯氫硅冷凝成液體，經(jīng)粗餾塔蒸餾和冷凝，除去高沸物和低沸物，再經(jīng)精餾塔蒸餾和冷凝，得到精制三氯氫硅液體。純度達到7個“9”以上、雜質含量小于1×10-7，硼要求在0.5×10-9以下。提純后的三氯氫硅送入不銹鋼制的還原爐內(nèi)，用超純氫氣作還原劑，在1050～1100℃還原成硅，并以硅芯棒為載體，沉積而得多晶硅成品。
第二，用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，加熱到1900℃左右進行還原。此方法制得的硅純度為97%～98%，被稱作金屬硅。再將金屬硅融化后進行重結晶，用酸除去雜質，得到純度為99.7%～99.8%的金屬硅。如要將它做成半導體用硅，還要將其轉化成易于提純的液體或氣體形式，再經(jīng)蒸餾、分解過程得到多晶硅。如需得到高純度的硅，則需要進行進一步的提純處理。
第三， 用SiO2含量大約為95%的硅石和灰分少的焦炭混合，用1000～3000kVA開式電弧爐，加熱到1900℃左右進行還原。