無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導；堿金屬如鈉等，引起嚴重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌、微生物、有機膠體纖維等，會導致各種缺陷。清除污染的方法有物理清洗和化學清洗兩種。物理清洗有三種方法。刷洗或擦洗:可除去顆粒污染和大多數(shù)粘在片子上的薄膜。高壓清洗：是用液體噴射片子表面，噴嘴的壓力高達幾百個大氣壓。高壓清洗靠噴射作用，片子不易產(chǎn)生劃痕和損傷。但高壓噴射會產(chǎn)生靜電作用，靠調(diào)節(jié)噴嘴到片子的距離、角度或加入防靜電劑加以避免。超聲波清洗：超聲波聲能傳入溶液,靠氣蝕作用洗掉片子上的污染。但是,從有圖形的片子上除去小于 1微米顆粒則比較困難。將頻率提高到頻頻段，清洗效果更好。

放射示蹤原子分析和質(zhì)譜分析表明，采用雙氧水體系清洗硅片效果好，同時所用的全部化學試劑 H2O2、NH4OH、HCl能夠完全揮發(fā)掉。用H2SO4和H2O2清洗硅片時，在硅片表面會留下約2×1010原子每平方厘米的硫原子，用后一種酸性清洗液時可以完全被清除。用H2O2體系清洗硅片無殘留物，有害性小，也有利于工人健康和環(huán)境保護。硅片清洗中用各步清洗液處理后，都要用超純水沖洗。科學技術的發(fā)展不斷推動著半導體的發(fā)展。
減少硅料消耗對于以硅片為基底的光伏電池來說，晶體硅(c-Si)原料和切割成本在電池總成本中占據(jù)了大的部分。光伏電池生產(chǎn)商可以通過在切片過程中節(jié)約硅原料來降低成本。降低截口損失可以達到這個效果，截口損失主要和切割線直徑有關，是切割過程本身所產(chǎn)生的原料損失。提升機臺產(chǎn)量。讓硅片變得更薄同樣可以減少硅原料消耗。在過去的十多年中，硅片厚度將變成 100μm. 減少硅片厚度帶來的效益是驚人的，從330μm 到 130μm，光伏電池制造商多可以降低總體硅原料消耗量多達60%。
硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有著驚人的運算能力。無論多么復雜的數(shù)學問題、物理問題和工程問題，也無論計算的工作量有多大，工作人員只要通過計算機鍵盤把問題告訴它，并下達解題的思路和指令，計算機就能在極短的時間內(nèi)把答案告訴你。這樣，那些人工計算需要花費數(shù)年、數(shù)十年時間的問題，計算機可能只需要幾分鐘就可以解決。甚至有些人力無法計算出結果的問題，計算機也能很快告訴你答案。
芯片又是現(xiàn)代化的微型“知識庫”，它具有神話般的存儲能力，在針尖大小的硅片上可以裝入一部24卷本的《大英百科全書》。如今世界上的圖書、雜志已多達3000多萬種，而且每年都要增加50多萬種，可謂浩如煙海。德國未來學家拜因豪爾指出：“今天的科學家，即使整日整夜地工作，也只能閱讀本全部出版物的5%。”出路何在呢？的辦法就是由各個圖書情報資料中心負責把各種情報存入硅片存儲器，并用通信線路將其連接成網(wǎng)。
微電子技術在航空航天、和工業(yè)自動化中的無比威力更是眾所皆知的事實。在大型電子計算機的控制下，無人飛機可以自由地在藍天飛翔；人造衛(wèi)星、宇宙飛船、航天飛機可以準確升空、飛行、定位，并自動向地面發(fā)回各種信息。在電子計算機的指揮下，火炮、導彈可以彈無虛發(fā)，準確擊中目標，甚至可以準確擊中空中快速移動目標，包括敵方正在飛行中的導彈。