生產(chǎn)電子器件用的硅單晶除對(duì)位錯(cuò)密度有一定限制外，不允許有小角度晶界、位錯(cuò)排、星形結(jié)構(gòu)等缺陷存在。位錯(cuò)密度低于 200/厘米2者稱(chēng)為無(wú)位錯(cuò)單晶，無(wú)位錯(cuò)硅單晶占產(chǎn)量的大多數(shù)。在無(wú)位錯(cuò)硅單晶中還存在雜質(zhì)原子、空位團(tuán)、自間隙原子團(tuán)、氧碳或其他雜質(zhì)的沉淀物等微缺陷。微缺陷集合成圈狀或螺旋狀者稱(chēng)為旋渦缺陷。熱加工過(guò)程中，硅單晶微缺陷間的相互作用及變化直接影響集成電路的成敗。

電阻率與均勻度 　拉制單晶時(shí)摻入一定雜質(zhì)以控制單晶的電阻率。由于雜質(zhì)分布不勻，電阻率也不均勻。電阻率均勻性包括縱向電阻率均勻度、斷面電阻率均勻度和微區(qū)電阻率均勻度。它直接影響器件參數(shù)的一致性和成品率。

硅單晶主要技術(shù)參數(shù)有導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率與均勻度、非平衡載流子壽命、晶向與晶向偏離度、晶體缺陷等。 導(dǎo)電類(lèi)型 　導(dǎo)電類(lèi)型由摻入的施主或受主雜質(zhì)決定。P型單晶多摻硼，N型單晶多摻磷,外延片襯底用N型單晶摻銻或砷

在可再生能源逐漸替代石油能源的今天，進(jìn)行太陽(yáng)能電池板的長(zhǎng)期回收基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)對(duì)加快建設(shè)循環(huán)經(jīng)濟(jì)、真正實(shí)現(xiàn)可再生能源和經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)發(fā)展，具有重要的意義。

國(guó)際可再生能源署(IRENA)的一項(xiàng)研究證實(shí)：到2050年，世界范圍內(nèi)報(bào)廢的光伏電池板數(shù)量將達(dá)到數(shù)千萬(wàn)噸(特別是在中國(guó)、美國(guó)、日本、印度和德國(guó))——回收后價(jià)值將超過(guò)150億美元。 僅在中國(guó)，2020年廢棄的光伏組件就將達(dá)到2000萬(wàn)噸，是埃菲爾鐵塔重量的2000倍。

光伏組件材料包含玻璃、硅、銀、銅、鋁等有價(jià)值組分，大部分物質(zhì)通過(guò)適當(dāng)回收，實(shí)現(xiàn)循環(huán)再利用，可有效緩解生態(tài)環(huán)境壓力、降低光伏全產(chǎn)業(yè)鏈能耗等指標(biāo)，進(jìn)一步優(yōu)化光伏組件全生命周期的綠色節(jié)能特性。因此，隨著全球光伏從補(bǔ)充能源走向替代能源，進(jìn)而成為主力能源的趨勢(shì)越來(lái)越明顯，隨之而來(lái)的，光伏組件的回收與無(wú)害化處理也是全球面對(duì)的急迫問(wèn)題。

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