功率二極管是功率半導(dǎo)體器件的重要組成部分，主要包括 PiN 二極管，肖特基勢壘二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管。本章主要介紹了肖特基勢壘的形成及其主要電流輸運(yùn)機(jī)理。并詳細(xì)介紹了肖特基二極管和結(jié)勢壘控制肖特基二極管的電學(xué)特性及其工作原理，為后兩章對(duì) 4H-SiC JBS 器件電學(xué)特性的仿真研究奠定了理論基礎(chǔ)。

產(chǎn)生二次擊穿的原因主要是半導(dǎo)體材料的晶格缺陷和管內(nèi)結(jié)面不均勻等引起的。二次擊穿的產(chǎn)生過程是：半導(dǎo)體結(jié)面上一些薄弱點(diǎn)電流密度的增加，導(dǎo)致這些薄弱點(diǎn)上的溫度增加引起這些薄弱點(diǎn)上的電流密度越來越大，溫度也越來越高，如此惡性循環(huán)引起過熱點(diǎn)半導(dǎo)體材料的晶體熔化。此時(shí)在兩電極之間形成較低阻的電流通道，電流密度驟增，導(dǎo)致肖特基二極管還未達(dá)到擊穿電壓值就已經(jīng)損壞。因此二次擊穿是不可逆的，是破壞性的。流經(jīng)二極管的平均電流并未達(dá)到二次擊穿的擊穿電壓值，但是功率二極管還是會(huì)產(chǎn)生二次擊穿。

肖特基二極管，又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體接觸(肖特基接觸)形成肖特基勢壘，實(shí)現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，肖特基二極管的反向恢復(fù)慣性非常低。因此，肖特基二極管適用于高頻整流或高速開關(guān)。

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