隨機存取存儲器（RAM）既可向單元存入信息又可從單元讀出信息。任何RAM中存儲的信息在斷電后均會丟失，所以RAM是易失性存儲器。

DRAM特點如下： ●存儲原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；之后：單管基本單元）。 ●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，定時給柵極電容補充電荷的操作。 ●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。 ●優(yōu)點： 集成度遠SRAM、功耗低，價格也低。 [8] ●缺點：因需刷新而使外圍電路復雜；刷新也使存取速度較SRAM慢，所以在計算機中，DRAM常用于作主存儲器。 盡管如此，由于DRAM存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。

內(nèi)存條指的就是主板上的存儲部件，是CPU直接與之溝通，并用其存儲數(shù)據(jù)的部件，存放當前正在使用（即執(zhí)行中）的數(shù)據(jù)和程序，它的物理實質(zhì)就是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸入輸出和數(shù)據(jù)存儲功能的集成電路，內(nèi)存只用于暫時存放程序和數(shù)據(jù)，一旦關(guān)閉電源或發(fā)生斷電，其中的程序和數(shù)據(jù)就會丟失。

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