隨著5G移動通信、雷達探測、軌道交通、光伏發(fā)電、半導體照明、高壓輸變電等領域的快速發(fā)展，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以的光電轉化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢成為支持新基建的核心材料。
碳化硅與氮化鎵優(yōu)勢互補。GaN功率半導體的市場應用領域偏向中低電壓范圍，集中在1000V以下，而1000V以上的中高電壓范圍內SiC更具優(yōu)勢，兩者的應用領域覆蓋了新能源汽車、光伏、機車牽引、智能電網、節(jié)能家電、通信射頻等大多數具有廣闊發(fā)展前景的新興應用市場。
未來，在包括車用、輔助設施、充電樁等整個新能源汽車產業(yè)，均會成為支撐SiC在中高電壓領域應用的重要組成部分。
5G技術不僅需要超帶寬，更需要高速接入，低接入時延，低功耗和高可靠性，以支持海量設備的互聯。GaN功率器件可以提供更高的功率密度、更率和更低功耗。
當今世界能源發(fā)展以電為中心、以新能源大規(guī)模開發(fā)利用和電動汽車等新型用電設施廣泛發(fā)展為標志的新一輪能源革命蓬勃興起。
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