劃片刀又稱金剛石劃片刀，包含三個(gè)主要元素：金剛石顆粒的大小、密度和粘結(jié)材料。 金剛石顆粒在晶圓的切割過程中起著研磨劑的作用，通常是由CBN (Cubic Boron Nitride)合成而來(lái)。 金剛石顆粒尺寸從２um到8um之間變化。 為達(dá)到更好的切割質(zhì)量，通常選用帶棱角的金剛石顆粒。 金剛石顆粒的密度代表著金剛石顆粒占金剛石刀片的體積比。

半導(dǎo)體晶圓切割用劃片刀頭在切割時(shí)，線速度是一個(gè)非常重要的參數(shù)，可以直接影響到切割效率和切割質(zhì)量。 以下是關(guān)于金剛石刀頭切割過程中線速度的介紹： 線速度是指切割線每分鐘旋轉(zhuǎn)的圈數(shù)，單位為m/min。 線速度過快，金剛石顆粒就會(huì)被削短，使刀頭變鈍，而且金剛石顆粒很容易掉落，影響切割質(zhì)量。 線速度過慢，刀頭會(huì)過度磨損，切割效率低下。 金剛石刀頭切割時(shí)，應(yīng)根據(jù)不同的材料選擇合適的線速度。

目前，機(jī)械式金剛石切割是劃片工藝的主流技術(shù)。在這種切割方式下，金剛石刀片（Diamond Blade）以每分鐘3萬(wàn)轉(zhuǎn)到4萬(wàn)轉(zhuǎn)的高轉(zhuǎn)速切割晶圓的街區(qū)部分，同時(shí)，承載著晶圓的工作臺(tái)以一定的速度沿刀片與晶圓接觸點(diǎn)的切線方向呈直線運(yùn)動(dòng)，切割晶圓產(chǎn)生的硅屑被去離子水（DI water）沖走。依能夠切割晶圓的尺寸 ，目前半導(dǎo)體界主流的劃片機(jī)分８英寸和12英寸劃片機(jī)兩種。

高密度的金剛石顆?？梢匝娱L(zhǎng)劃片刀的壽命，同時(shí)也可以減少晶圓背面崩角。而低密度的金剛石顆?？梢詼p少正面崩角。硬的粘結(jié)材料可以更好地“固定”金剛石顆粒，因而可以提高劃片刀的壽命，而軟的粘結(jié)材料能夠加速金剛石顆粒的“自我鋒利”（Self Sharpening）效應(yīng)，令金剛石顆粒保持尖銳的棱角形狀，因而可以減小晶圓的正面崩角或分層，但代價(jià)是劃片刀壽命的縮短。刀鋒的長(zhǎng)度應(yīng)根據(jù)晶圓的厚度，承載薄膜的厚度，大允許的崩角的尺寸來(lái)進(jìn)行定義，刀鋒不能選得過長(zhǎng)，因?yàn)殚L(zhǎng)的刀鋒會(huì)在切割時(shí)引起刀片的擺動(dòng)，會(huì)導(dǎo)致較大的崩角。
因?yàn)楣璨牧系拇嘈裕瑱C(jī)械切割方式會(huì)對(duì)晶圓的正面和背面產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，結(jié)果在芯片的邊緣產(chǎn)生正面崩角（FSC- Front Side Chipping）及背面崩角（BSC – Back Side Chipping）。
正面崩角和背面崩角會(huì)降低芯片的機(jī)械強(qiáng)度，初始的芯片邊緣裂隙在后續(xù)的封裝工藝中或在產(chǎn)品的使用中會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)散，從而可能引起芯片斷裂，導(dǎo)致電性失效。另外，如果崩角進(jìn)入了用于保護(hù)芯片內(nèi)部電路、防止劃片損傷的密封環(huán)（Seal Ring）內(nèi)部時(shí)，芯片的電氣性能和可靠性都會(huì)受到影響?！?br /> 封裝工藝設(shè)計(jì)規(guī)則限定崩角不能進(jìn)入芯片邊緣的密封圈。
通常在切割前會(huì)在晶圓背部貼上UV膜或藍(lán)膜，之后將貼有UV膜的晶圓放入劃片機(jī)中，設(shè)置好程序開始劃片，劃片結(jié)束后拿出晶圓，進(jìn)行解UV等工序。藍(lán)膜成本較低，但是需要通過機(jī)械手段+溫度輔助才能將芯片剝離；而UV膜粘性可以通過紫外線照射來(lái)改變。在劃片完成后，晶圓被暴露在紫外光下，這使得膜的粘性降低，從而容易地剝離芯片。